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Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor da tensão de limiar do dispositivo.
C -
E -
Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção no substrato, consequentemente, nessa região haverá um fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons negativos da fonte para o dreno do dispositivo.
O efeito de segunda ordem denominado efeito de corpo ocorre quando se aplica, ao terminal da fonte do transistor NMOS, uma tensão maior que a tensão de substrato, o que leva a um aumento do número de íons negativos da camada de depleção, sendo necessária uma maior tensão de limiar para formar o canal.
Em tecnologia CMOS, dispositivos NMOS são fabricados em um substrato tipo n, ao passo que dispositivos PMOS são fabricados envolvidos em um poço tipo p.
Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma semelhante aos de um transistor bipolar.
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