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Total de Questões Encontradas: 2.617 de 252.126
Exibindo: Página 286 de 524

Questão: 1426 / QT-137176
Ano: 2024
Banca: CESPE / CEBRASPE
Órgão: CTI
Cargo: Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia
Disciplina: Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.



Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor da tensão de limiar do dispositivo.

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Certo

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Errado


Questão: 1427 / QT-137177
Ano: 2024
Banca: CESPE / CEBRASPE
Órgão: CTI
Cargo: Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia
Disciplina: Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.



Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção no substrato, consequentemente, nessa região haverá um fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons negativos da fonte para o dreno do dispositivo.

-

Certo

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Errado


Questão: 1428 / QT-137178
Ano: 2024
Banca: CESPE / CEBRASPE
Órgão: CTI
Cargo: Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia
Disciplina: Engenharia Elétrica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.



O efeito de segunda ordem denominado efeito de corpo ocorre quando se aplica, ao terminal da fonte do transistor NMOS, uma tensão maior que a tensão de substrato, o que leva a um aumento do número de íons negativos da camada de depleção, sendo necessária uma maior tensão de limiar para formar o canal. 

-

Certo

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Errado


Questão: 1429 / QT-137179
Ano: 2024
Banca: CESPE / CEBRASPE
Órgão: CTI
Cargo: Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia
Disciplina: Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.


Em tecnologia CMOS, dispositivos NMOS são fabricados em um substrato tipo n, ao passo que dispositivos PMOS são fabricados envolvidos em um poço tipo p.

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Certo

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Errado


Questão: 1430 / QT-137180
Ano: 2024
Banca: CESPE / CEBRASPE
Órgão: CTI
Cargo: Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia
Disciplina: Engenharia Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.



Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma semelhante aos de um transistor bipolar.

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Certo

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Errado



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